Name: NSVMUN2212T1G
Brand: onsemi
SKU: NSVMUN2212T1GOSTR-ND
Price: 6.84 THB
Availability: InStock

ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) NPN - พรีไบแอส 50 V 100 mA 230 mW ติดบนพื้นผิว SC-59

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NSVMUN2212T1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	NSVMUN2212T1GOSTR-ND - เทปและม้วน (TR) NSVMUN2212T1GOSCT-ND - เทปตัดขาย (CT) NSVMUN2212T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NSVMUN2212T1G
คำอธิบาย	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	40 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) NPN - พรีไบแอส 50 V 100 mA 230 mW ติดบนพื้นผิว SC-59
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NSVMUN2212T1G รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบเดี่ยวและแบบไบโพลาร์	เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
ผู้ผลิต onsemi	Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด) 500nA
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	พลังงาน - สูงสุด 230 mW
ประเภททรานซิสเตอร์ NPN - พรีไบแอส	เกรด รถยนต์
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด) 100 mA	คุณสมบัติ AEC-Q101
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด) 50 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
รวมตัวต้านทานแล้ว R1 และ R2	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ตัวต้านทาน - เบส (R1) 22 kOhms	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ SC-59
ตัวต้านทาน - ระหว่างอิมิเตอร์และเบส (R2) 22 kOhms	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน MUN2212