Name: NSVMUN5237T1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NSVMUN5237T1GTR-ND
Price: 6.47 THB
Availability: InStock

ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) NPN - พรีไบแอส 50 V 100 mA 202 mW ติดบนพื้นผิว SC-70-3 (SOT323)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NSVMUN5237T1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NSVMUN5237T1GTR-ND - เทปและม้วน (TR) 488-NSVMUN5237T1GCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 488-NSVMUN5237T1GDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NSVMUN5237T1G
คำอธิบาย	TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	50 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) NPN - พรีไบแอส 50 V 100 mA 202 mW ติดบนพื้นผิว SC-70-3 (SOT323)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NSVMUN5237T1G รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบเดี่ยวและแบบไบโพลาร์
ผู้ผลิต	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภททรานซิสเตอร์	NPN - พรีไบแอส
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	100 mA
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	50 V
รวมตัวต้านทานแล้ว	R1 และ R2
ตัวต้านทาน - เบส (R1)	47 kOhms
ตัวต้านทาน - ระหว่างอิมิเตอร์และเบส (R2)	22 kOhms
เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V
Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic	250mV @ 5mA, 10mA
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด)	500nA
พลังงาน - สูงสุด	202 mW
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	SC-70, SOT-323
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SC-70-3 (SOT323)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	MUN5237