Name: NSVTB60BDW1T1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NSVTB60BDW1T1GTR-ND
Price: 17.46 THB
Availability: InStock

ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) 1 NPN - พรีไบแอส, 1 PNP 50V 150mA 250mW ติดบนพื้นผิว SC-88/SC70-6/SOT-363

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NSVTB60BDW1T1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NSVTB60BDW1T1GTR-ND - เทปและม้วน (TR) 488-NSVTB60BDW1T1GCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 488-NSVTB60BDW1T1GDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NSVTB60BDW1T1G
คำอธิบาย	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	42 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) 1 NPN - พรีไบแอส, 1 PNP 50V 150mA 250mW ติดบนพื้นผิว SC-88/SC70-6/SOT-363
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NSVTB60BDW1T1G รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์, แบบมีออฟเซตไบแอสล่วงหน้า
ผู้ผลิต	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภททรานซิสเตอร์	1 NPN - พรีไบแอส, 1 PNP
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	150mA
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	50V
ตัวต้านทาน - เบส (R1)	22kOhm
ตัวต้านทาน - ระหว่างอิมิเตอร์และเบส (R2)	47kOhm
เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic	250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด)	500nA
ความถี่ - การเปลี่ยน	-
พลังงาน - สูงสุด	250mW
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SC-88/SC70-6/SOT-363
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	TB60