Name: NTB082N65S3F
Brand: onsemi
SKU: NTB082N65S3FOSTR-ND
Price: 349.16 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NTB082N65S3F
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	NTB082N65S3FOSTR-ND - เทปและม้วน (TR) NTB082N65S3FOSCT-ND - เทปตัดขาย (CT) NTB082N65S3FOSDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NTB082N65S3F
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	17 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NTB082N65S3F รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 5V @ 4mA
Mfr onsemi	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 81 nC @ 10 V
ชุด SuperFET® III	Vgs (สูงสุด) ±30V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 3410 pF @ 400 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 313W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 650 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-263 (D2PAK)
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 40A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน NTB082
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 82mOhm @ 20A, 10V