Name: NTBG040N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG040N120M3STR-ND
Price: 364.36 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 1200 V 57A (Tc) 263W (Tc) ติดบนพื้นผิว D2PAK-7

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NTBG040N120M3S
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	5556-NTBG040N120M3STR-ND - เทปและม้วน (TR) 5556-NTBG040N120M3SCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 5556-NTBG040N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NTBG040N120M3S
คำอธิบาย	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	21 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1200 V 57A (Tc) 263W (Tc) ติดบนพื้นผิว D2PAK-7
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4.4V @ 10mA
Mfr onsemi	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 75 nC @ 18 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) +22V, -10V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1700 pF @ 800 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 263W (Tc)
เทคโนโลยี SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 1200 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 57A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ D2PAK-7
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 18V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-8, D2PAK (7 ตัวนำ + แท็บ), TO-263CA
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 54mOhm @ 20A, 18V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน NTBG040