Name: NTBG080N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG080N120SC1TR-ND
Price: 458.12 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 1200 V 30A (Tc) 179W (Tc) ติดบนพื้นผิว D2PAK-7

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NTBG080N120SC1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	5556-NTBG080N120SC1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 5556-NTBG080N120SC1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 5556-NTBG080N120SC1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NTBG080N120SC1
คำอธิบาย	SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	17 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1200 V 30A (Tc) 179W (Tc) ติดบนพื้นผิว D2PAK-7
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4.3V @ 5mA
Mfr onsemi	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 56 nC @ 20 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) +25, -15V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1154 pF @ 800 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 179W (Tc)
เทคโนโลยี SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 1200 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 30A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ D2PAK-7
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 20V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-8, D2PAK (7 ตัวนำ + แท็บ), TO-263CA
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 20V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน NTBG080