NTBG1000N170M1 onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

NTBG1000N170M1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	5556-NTBG1000N170M1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 5556-NTBG1000N170M1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 5556-NTBG1000N170M1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NTBG1000N170M1
คำอธิบาย	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1700 V 4.3A (Tc) 51W (Tc) ติดบนพื้นผิว D2PAK-7
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ดำเนินการต่อที่ Digi-Key
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	1700 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	4.3A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	20V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	1.43Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4.3V @ 640µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	14 nC @ 20 V
Vgs (สูงสุด)	+25V, -15V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	150 pF @ 1000 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	51W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	D2PAK-7
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-263-8, D2PAK (7 ตัวนำ + แท็บ), TO-263CA