Name: NTH4L040N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L040N120M3S-ND
Price: 523.1 THB
Availability: InStock

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NTH4L040N120M3S
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	5556-NTH4L040N120M3S-ND
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NTH4L040N120M3S
คำอธิบาย	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	19 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1200 V 54A (Tc) 231W (Tc) ทรูโฮล TO-247-4L
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4.4V @ 10mA
Mfr onsemi	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 75 nC @ 18 V
บรรจุภัณฑ์ ท่อ	Vgs (สูงสุด) +22V, -10V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1700 pF @ 800 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 231W (Tc)
เทคโนโลยี SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 1200 V	ประเภทการติดตั้ง ทรูโฮล
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 54A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-247-4L
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 18V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-247-4
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 54mOhm @ 20A, 18V