NTHL080N120SC1 onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

NTHL080N120SC1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	NTHL080N120SC1OS-ND
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NTHL080N120SC1
คำอธิบาย	SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1200 V 44A (Tc) 348W (Tc) ทรูโฮล TO-247-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NTHL080N120SC1 รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	1200 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	44A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	20V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	110mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4.3V @ 5mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	56 nC @ 20 V
Vgs (สูงสุด)	+25V, -15V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1670 pF @ 800 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	348W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-247-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-247-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	NTHL080