NTJS4405NT4G onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

NTJS4405NT4G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	NTJS4405NT4G-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NTJS4405NT4G
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 25 V 1A (Ta) 630mW (Ta) ติดบนพื้นผิว SC-88/SC70-6/SOT-363
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NTJS4405NT4G รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	25 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	1A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	2.7V, 4.5V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	350mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.5V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±8V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	60 pF @ 10 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	630mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SC-88/SC70-6/SOT-363
บรรจุภัณฑ์ / เคส	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	NTJS44