NTLGD3502NT1G onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

NTLGD3502NT1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	NTLGD3502NT1GOSTR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NTLGD3502NT1G
คำอธิบาย	MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	mosfet อาร์เรย์ 20V 4.3A, 3.6A 1.74W ติดบนพื้นผิว 6-DFN (3x3)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET, MOSFET อาเรย์
ผู้ผลิต	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
การตั้งค่า	2 N-ช่องสัญญาณ (คู่)
คุณสมบัติของ FET	เกทระดับลอจิก
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	20V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	4.3A, 3.6A
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	60mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	4nC @ 4.5V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	480pF @ 10V
พลังงาน - สูงสุด	1.74W
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	6-VDFN แผ่นสัมผัส
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	6-DFN (3x3)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	NTLGD35