Name: NTLJF3117PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTLJF3117PT1GOSTR-ND
Price: 26.51 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 20 V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) ติดบนพื้นผิว 6-WDFN (2x2)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NTLJF3117PT1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	NTLJF3117PT1GOSTR-ND - เทปและม้วน (TR) NTLJF3117PT1GOSCT-ND - เทปตัดขาย (CT) NTLJF3117PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NTLJF3117PT1G
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 20 V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) ติดบนพื้นผิว 6-WDFN (2x2)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NTLJF3117PT1G รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 1V @ 250µA
Mfr onsemi	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 6.2 nC @ 4.5 V
ชุด µCool™	Vgs (สูงสุด) ±8V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 531 pF @ 10 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	คุณสมบัติของ FET Schottky ไดโอด (แยก)
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 710mW (Ta)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 20 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 2.3A (Ta)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 6-WDFN (2x2)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 1.8V, 4.5V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 6-WDFN แผ่นสัมผัส
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 4.5V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน NTLJF3117