Name: NTMFS0D4N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS0D4N04XMT1GTR-ND
Price: 129.32 THB
Availability: OutOfStock

NTMFS0D4N04XMT1G หมดสต็อกและสามารถสั่งจองได้

ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

Similar

RBE020N04R0SZN6#HB0

Renesas Electronics Corporation

มีอยู่ในสต็อค: 0

ราคาต่อหน่วย : ฿4.34162

เอกสารข้อมูล

ดูและเปรียบเทียบผลิตภัณฑ์ทดแทนทั้งหมด

N-ช่องสัญญาณ 40 V 509A (Tc) 197W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-DFN (5x6)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NTMFS0D4N04XMT1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NTMFS0D4N04XMT1GTR-ND - เทปและม้วน (TR) 488-NTMFS0D4N04XMT1GCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 488-NTMFS0D4N04XMT1GDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NTMFS0D4N04XMT1G
คำอธิบาย	40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	52 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 40 V 509A (Tc) 197W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-DFN (5x6)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3.5V @ 330µA
Mfr onsemi	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 133 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 8577 pF @ 20 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 197W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 40 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 509A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-DFN (5x6)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 0.42mOhm @ 50A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน NTMFS0