Name: NTMFS0D5N03CT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS0D5N03CT1GTR-ND
Price: 92.46 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 30 V 65A (Ta), 464A (Tc) 3.9W (Ta), 200W (Tc) ติดบนพื้นผิว 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NTMFS0D5N03CT1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NTMFS0D5N03CT1GTR-ND - เทปและม้วน (TR) 488-NTMFS0D5N03CT1GCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 488-NTMFS0D5N03CT1GDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NTMFS0D5N03CT1G
คำอธิบาย	MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	30 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 30 V 65A (Ta), 464A (Tc) 3.9W (Ta), 200W (Tc) ติดบนพื้นผิว 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	30 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	65A (Ta), 464A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	0.52mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.2V @ 330µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	178 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	13000 pF @ 15 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	3.9W (Ta), 200W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerTDFN, 5 ตัวนำ
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	NTMFS0