Name: NTMFS3D6N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS3D6N10MCLT1GTR-ND
Price: 124.79 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 19.5A (Ta), 131A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) ติดบนพื้นผิว 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NTMFS3D6N10MCLT1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NTMFS3D6N10MCLT1GTR-ND - เทปและม้วน (TR) 488-NTMFS3D6N10MCLT1GCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 488-NTMFS3D6N10MCLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NTMFS3D6N10MCLT1G
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	52 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 19.5A (Ta), 131A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) ติดบนพื้นผิว 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NTMFS3D6N10MCLT1G รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3V @ 270µA
Mfr onsemi	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 60 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 4411 pF @ 50 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 3W (Ta), 136W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 19.5A (Ta), 131A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN, 5 ตัวนำ
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 48A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน NTMFS3