Name: NTMFS6H818NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS6H818NLT1GTR-ND
Price: 84.06 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 80 V 22A (Ta), 135A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) ติดบนพื้นผิว 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NTMFS6H818NLT1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NTMFS6H818NLT1GTR-ND - เทปและม้วน (TR) 488-NTMFS6H818NLT1GCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 488-NTMFS6H818NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NTMFS6H818NLT1G
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	43 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 80 V 22A (Ta), 135A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) ติดบนพื้นผิว 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	80 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	22A (Ta), 135A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	3.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2V @ 190µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	3844 pF @ 40 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	3.8W (Ta), 140W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerTDFN, 5 ตัวนำ
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	NTMFS6