Name: NTMFWS1D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFWS1D5N08XT1GTR-ND
Price: 130.29 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 80 V 253A (Tc) 194W (Tc) ติดบนพื้นผิว, เปียกที่ขอบด้านข้างได้ 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NTMFWS1D5N08XT1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NTMFWS1D5N08XT1GTR-ND - เทปและม้วน (TR) 488-NTMFWS1D5N08XT1GCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 488-NTMFWS1D5N08XT1GDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NTMFWS1D5N08XT1G
คำอธิบาย	MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	27 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 80 V 253A (Tc) 194W (Tc) ติดบนพื้นผิว, เปียกที่ขอบด้านข้างได้ 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3.6V @ 330µA
Mfr onsemi	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 83 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 5880 pF @ 40 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 194W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 80 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว, เปียกที่ขอบด้านข้างได้
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 253A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 6V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN, 5 ตัวนำ
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 1.43mOhm @ 50A, 10V