Name: NTMTSC4D2N10GTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC4D2N10GTXGTR-ND
Price: 249.01 THB
Availability: OutOfStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 21A (Ta), 178A (Tc) 3.9W (Ta), 267W (Tc) ติดบนพื้นผิว, เปียกที่ขอบด้านข้างได้ 8-TDFNW (8.3x8.4)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NTMTSC4D2N10GTXG
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NTMTSC4D2N10GTXGTR-ND - เทปและม้วน (TR) 488-NTMTSC4D2N10GTXGCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 488-NTMTSC4D2N10GTXGDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NTMTSC4D2N10GTXG
คำอธิบาย	100V MVSOA IN DFNW8(PQFN8X8) PAC
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	26 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 21A (Ta), 178A (Tc) 3.9W (Ta), 267W (Tc) ติดบนพื้นผิว, เปียกที่ขอบด้านข้างได้ 8-TDFNW (8.3x8.4)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 450µA
Mfr onsemi	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 159 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 10450 pF @ 50 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 3.9W (Ta), 267W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว, เปียกที่ขอบด้านข้างได้
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 21A (Ta), 178A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-TDFNW (8.3x8.4)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 88A, 10V