NTR3161NT3G onsemi | FET เดี่ยว, MOSFET

N-ช่องสัญญาณ 20 V 4A (Ta) 820mW (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-23-3 (TO-236)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NTR3161NT3G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NTR3161NT3G-ND
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NTR3161NT3G
คำอธิบาย	20 V, 4.0 A, 50 MOHM SINGLE N-CH
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 20 V 4A (Ta) 820mW (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-23-3 (TO-236)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 1V @ 250µA
Mfr onsemi	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 7.3 nC @ 4.5 V
บรรจุภัณฑ์ จำนวนมาก	Vgs (สูงสุด) ±8V
สถานะผลิตภัณฑ์ ดำเนินการต่อที่ DigiKey	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 540 pF @ 10 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 820mW (Ta)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 20 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 4A (Ta)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ SOT-23-3 (TO-236)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 1.8V, 4.5V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.3A, 4.5V

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ในสต็อก: 0

เนื่องจากเกิดปัญหาด้านข้อจำกัดทางด้านการจัดส่งชั่วคราว เราจึงไม่สามารถรับคำสั่งซื้อสำหรับสินค้ารอส่งได้ และยังไม่สามารถแจ้งระยะเวลารอคอยสินค้าได้ในขณะนี้

NTR3161NT3G

ติดตามเรา

ข้อมูล

การติดต่อและการสนับสนุน