Name: NTTFD2D8N03P1E
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFD2D8N03P1ETR-ND
Price: 103.13 THB
Availability: InStock

mosfet อาร์เรย์ 30V 16.1A (Ta), 80A (Tc) 1.04W (Ta), 26W (Ta) ติดบนพื้นผิว 12-WQFN (3.3x3.3)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NTTFD2D8N03P1E
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NTTFD2D8N03P1ETR-ND - เทปและม้วน (TR) 488-NTTFD2D8N03P1ECT-ND - เทปตัดขาย (CT) 488-NTTFD2D8N03P1EDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NTTFD2D8N03P1E
คำอธิบาย	MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFN
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	43 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	mosfet อาร์เรย์ 30V 16.1A (Ta), 80A (Tc) 1.04W (Ta), 26W (Ta) ติดบนพื้นผิว 12-WQFN (3.3x3.3)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET, MOSFET อาเรย์
ผู้ผลิต	onsemi
ชุด	PowerTrench®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
การตั้งค่า	2 N-ช่องสัญญาณ (คู่)
คุณสมบัติของ FET	-
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	30V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	16.1A (Ta), 80A (Tc)
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	2.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3V @ 400µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V
พลังงาน - สูงสุด	1.04W (Ta), 26W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	12-PowerWQFN
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	12-WQFN (3.3x3.3)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	NTTFD2