Name: NTTFS015P03P8ZTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS015P03P8ZTWGTR-ND
Price: 40.74 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 30 V 13.4A (Ta), 47.6A (Tc) 2.66W (Ta), 33.8W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-WDFN (3.3x3.3)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NTTFS015P03P8ZTWG
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NTTFS015P03P8ZTWGTR-ND - เทปและม้วน (TR) 488-NTTFS015P03P8ZTWGCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 488-NTTFS015P03P8ZTWGDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NTTFS015P03P8ZTWG
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	18 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 30 V 13.4A (Ta), 47.6A (Tc) 2.66W (Ta), 33.8W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-WDFN (3.3x3.3)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NTTFS015P03P8ZTWG รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3V @ 250µA
Mfr onsemi	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 62.3 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±25V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 2706 pF @ 15 V
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 30 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-WDFN (3.3x3.3)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerWDFN
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 12A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน NTTFS0