Name: NVBG022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVBG022N120M3STR-ND
Price: 936.92 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 1200 V 58A (Tc) 234W (Tc) ติดบนพื้นผิว D2PAK-7

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NVBG022N120M3S
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	5556-NVBG022N120M3STR-ND - เทปและม้วน (TR) 5556-NVBG022N120M3SCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 5556-NVBG022N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NVBG022N120M3S
คำอธิบาย	SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	21 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1200 V 58A (Tc) 234W (Tc) ติดบนพื้นผิว D2PAK-7
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	1200 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	58A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	18V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	30mOhm @ 40A, 18V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4.4V @ 20mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	148 nC @ 18 V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	3200 pF @ 800 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	234W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	D2PAK-7
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-263-8, D2PAK (7 ตัวนำ + แท็บ), TO-263CA
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	NVBG022