Name: NVBYST0D8N08XTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVBYST0D8N08XTXGTR-ND
Price: 209.18 THB
Availability: OutOfStock

ผลิตภัณฑ์ใหม่

N-ช่องสัญญาณ 80 V 643A (Tc) 652W (Tc) ติดบนพื้นผิว 16-TCPAK

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NVBYST0D8N08XTXG
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NVBYST0D8N08XTXGTR-ND - เทปและม้วน (TR) 488-NVBYST0D8N08XTXGCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 488-NVBYST0D8N08XTXGDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NVBYST0D8N08XTXG
คำอธิบาย	POWERTRENCH T10 80V IN TCPAK1012
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	50 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 80 V 643A (Tc) 652W (Tc) ติดบนพื้นผิว 16-TCPAK
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	80 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	643A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	0.79mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.6V @ 703µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	182 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	13097 pF @ 40 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	652W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	16-TCPAK
บรรจุภัณฑ์ / เคส	โมดูล 16-PowerSOP