NVD3055L170T4G-VF01 onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

NVD3055L170T4G-VF01
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	NVD3055L170T4G-VF01TR-ND - เทปและม้วน (TR) NVD3055L170T4G-VF01CT-ND - เทปตัดขาย (CT)
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NVD3055L170T4G-VF01
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 9A (Ta) 28.5W (Ta) ติดบนพื้นผิว DPAK
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT)
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	9A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	5V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	170mOhm @ 4.5A, 5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	10 nC @ 5 V
Vgs (สูงสุด)	±15V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	275 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	28.5W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	DPAK
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	NVD3055