Name: NVD5C668NLT4G
Brand: onsemi
SKU: NVD5C668NLT4GOSTR-ND
Price: 94.08 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 60 V 49A (Tc) 44W (Tc) ติดบนพื้นผิว DPAK

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NVD5C668NLT4G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	NVD5C668NLT4GOSTR-ND - เทปและม้วน (TR) NVD5C668NLT4GOSCT-ND - เทปตัดขาย (CT) NVD5C668NLT4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NVD5C668NLT4G
คำอธิบาย	MOSFET N-CHANNEL 60V 49A DPAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	50 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 49A (Tc) 44W (Tc) ติดบนพื้นผิว DPAK
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NVD5C668NLT4G รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 8.7 nC @ 4.5 V
Mfr onsemi	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1300 pF @ 25 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 44W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	เกรด รถยนต์
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 60 V	คุณสมบัติ AEC-Q101
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 49A (Tc)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ DPAK
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 25A, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.1V @ 250µA	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน NVD5C668