Name: NVF6P02T3G
Brand: onsemi
SKU: NVF6P02T3GOSTR-ND
Price: 62.72 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 20 V 10A (Ta) 8.3W (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-223 (TO-261)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NVF6P02T3G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	NVF6P02T3GOSTR-ND - เทปและม้วน (TR) NVF6P02T3GOSCT-ND - เทปตัดขาย (CT) NVF6P02T3GOSDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NVF6P02T3G
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 20 V 10A (Ta) 8.3W (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-223 (TO-261)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NVF6P02T3G รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V
Mfr onsemi	Vgs (สูงสุด) ±8V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1200 pF @ 16 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ไม่สามารถใช้ได้สำหรับการออกแบบใหม่	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 8.3W (Ta)
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	เกรด รถยนต์
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 20 V	คุณสมบัติ AEC-Q101
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 10A (Ta)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 2.5V, 4.5V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ SOT-223 (TO-261)
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 50mOhm @ 6A, 4.5V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-261-4, TO-261AA
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 1V @ 250µA	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน NVF6P02