Name: NVMFS3D6N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS3D6N10MCLT1GTR-ND
Price: 150.66 THB
Availability: OutOfStock

NVMFS3D6N10MCLT1G หมดสต็อกและสามารถสั่งจองได้

ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

Similar

RBA130N10EANS-4UA04#HB0

Renesas Electronics Corporation

มีอยู่ในสต็อค: 0

ราคาต่อหน่วย : ฿1.03727

เอกสารข้อมูล

ดูและเปรียบเทียบผลิตภัณฑ์ทดแทนทั้งหมด

N-ช่องสัญญาณ 100 V 19A (Ta), 132A (Tc) 3W (Ta), 139W (Tc) ติดบนพื้นผิว 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NVMFS3D6N10MCLT1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NVMFS3D6N10MCLT1GTR-ND - เทปและม้วน (TR) 488-NVMFS3D6N10MCLT1GCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 488-NVMFS3D6N10MCLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NVMFS3D6N10MCLT1G
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 19A/132A 5DFN
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	45 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 19A (Ta), 132A (Tc) 3W (Ta), 139W (Tc) ติดบนพื้นผิว 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Mfr onsemi	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 4411 pF @ 50 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 3W (Ta), 139W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	เกรด รถยนต์
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	คุณสมบัติ AEC-Q101
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 19A (Ta), 132A (Tc)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 48A, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN, 5 ตัวนำ
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3V @ 270µA	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน NVMFS3