Name: NVMYS020N08LHTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMYS020N08LHTWGTR-ND
Price: 49.14 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 80 V 8.7A (Ta), 30A (Tc) 3.5W (Ta), 42W (Tc) ติดบนพื้นผิว LFPAK4 (5x6)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NVMYS020N08LHTWG
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NVMYS020N08LHTWGTR-ND - เทปและม้วน (TR) 488-NVMYS020N08LHTWGCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 488-NVMYS020N08LHTWGDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NVMYS020N08LHTWG
คำอธิบาย	T8 80V LL LFPAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	22 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 80 V 8.7A (Ta), 30A (Tc) 3.5W (Ta), 42W (Tc) ติดบนพื้นผิว LFPAK4 (5x6)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	80 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	8.7A (Ta), 30A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	19.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2V @ 30µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	623 pF @ 40 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	3.5W (Ta), 42W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	LFPAK4 (5x6)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	SOT-1023, 4-LFPAK