Name: NVMYS1D3N04CTWG
Brand: onsemi
SKU: NVMYS1D3N04CTWGOSTR-ND
Price: 102.49 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 40 V 43A (Ta), 252A (Tc) 3.9W (Ta), 134W (Tc) ติดบนพื้นผิว LFPAK4 (5x6)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NVMYS1D3N04CTWG
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	NVMYS1D3N04CTWGOSTR-ND - เทปและม้วน (TR) NVMYS1D3N04CTWGOSCT-ND - เทปตัดขาย (CT) NVMYS1D3N04CTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NVMYS1D3N04CTWG
คำอธิบาย	TRENCH 6 40V SL NFET
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	50 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 40 V 43A (Ta), 252A (Tc) 3.9W (Ta), 134W (Tc) ติดบนพื้นผิว LFPAK4 (5x6)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 75 nC @ 10 V
Mfr onsemi	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 4855 pF @ 25 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 3.9W (Ta), 134W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	เกรด รถยนต์
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 40 V	คุณสมบัติ AEC-Q101
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 43A (Ta), 252A (Tc)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ LFPAK4 (5x6)
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 1.15mOhm @ 50A, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส SOT-1023, 4-LFPAK
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3.5V @ 180µA	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน NVMYS1