Name: NVTFS5124PLTWG
Brand: onsemi
SKU: NVTFS5124PLTWGOSTR-ND
Price: 38.47 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 60 V 2.4A (Ta) 3W (Ta), 18W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-WDFN (3.3x3.3)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NVTFS5124PLTWG
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	NVTFS5124PLTWGOSTR-ND - เทปและม้วน (TR) NVTFS5124PLTWGOSCT-ND - เทปตัดขาย (CT) NVTFS5124PLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NVTFS5124PLTWG
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	17 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 60 V 2.4A (Ta) 3W (Ta), 18W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-WDFN (3.3x3.3)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NVTFS5124PLTWG รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	P-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	2.4A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	260mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	6 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	250 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	3W (Ta), 18W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-WDFN (3.3x3.3)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerWDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	NVTFS5124