Name: NVTYS010N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVTYS010N06CLTWGTR-ND
Price: 52.7 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 60 V 13A (Ta), 51A (Tc) 3.1W (Ta), 47W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-LFPAK

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NVTYS010N06CLTWG
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NVTYS010N06CLTWGTR-ND - เทปและม้วน (TR) 488-NVTYS010N06CLTWGCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 488-NVTYS010N06CLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NVTYS010N06CLTWG
คำอธิบาย	T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	50 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 13A (Ta), 51A (Tc) 3.1W (Ta), 47W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-LFPAK
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	13A (Ta), 51A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	9.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2V @ 35µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	910 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	3.1W (Ta), 47W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-LFPAK
บรรจุภัณฑ์ / เคส	SOT-1205, 8-LFPAK56