NXH50C120L2C2ESG onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

NXH50C120L2C2ESG
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NXH50C120L2C2ESG-ND
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NXH50C120L2C2ESG
คำอธิบาย	IGBT MOD 1200V 50A 20MW 26-DIP
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	โมดูล igbt อินเวอร์เตอร์สามเฟสพร้อมเบรก 1200 V 50 A 20 mW ทรูโฮล 26-DIP

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT IGBT โมดูล
ผู้ผลิต	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท IGBT	-
การตั้งค่า	อินเวอร์เตอร์สามเฟสพร้อมเบรก
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	1200 V
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	50 A
พลังงาน - สูงสุด	20 mW
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 50A
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด)	250 µA
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Cies) @ Vce	11.897 nF @ 20 V
อินพุต	วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์สามเฟส
NTC เทอร์มิสเตอร์	ใช่
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ / เคส	โมดูล 26-PowerDIP (1.199", 47.20มม.)
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	26-DIP
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	NXH50