NXH600N65L4Q2F2SG onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

NXH600N65L4Q2F2SG
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NXH600N65L4Q2F2SG-ND
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NXH600N65L4Q2F2SG
คำอธิบาย	IGBT MOD 650V 483A 931W 41-PIM
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	โมดูล igbt ตัวหยุดสนามแบบถาด อินเวอร์เตอร์สามระดับ 650 V 483 A 931 W ติดตั้งบนแชสซี 41-PIM/Q2PACK (93x47)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT IGBT โมดูล
ผู้ผลิต	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ถาด
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท IGBT	ตัวหยุดสนามแบบถาด
การตั้งค่า	อินเวอร์เตอร์สามระดับ
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	650 V
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	483 A
พลังงาน - สูงสุด	931 W
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 600A
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด)	100 µA
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Cies) @ Vce	37.1 nF @ 20 V
อินพุต	มาตรฐาน
NTC เทอร์มิสเตอร์	ใช่
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ติดตั้งบนแชสซี
บรรจุภัณฑ์ / เคส	โมดูล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	41-PIM/Q2PACK (93x47)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	NXH600