Name: RFD3055LESM9A
Brand: onsemi
SKU: RFD3055LESM9ATR-ND
Price: 41.34 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 60 V 11A (Tc) 38W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252AA

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

RFD3055LESM9A
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	RFD3055LESM9ATR-ND - เทปและม้วน (TR) RFD3055LESM9ACT-ND - เทปตัดขาย (CT) RFD3055LESM9ADKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	RFD3055LESM9A
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	20 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 11A (Tc) 38W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252AA
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3V @ 250µA
Mfr onsemi	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±16V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 350 pF @ 25 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 38W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 60 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 11A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-252AA
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 5V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 107mOhm @ 8A, 5V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน RFD3055

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (4)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
IRFR024PBF	Vishay Siliconix	5,828	IRFR024PBF-ND	฿83.98000	Similar
IXTY01N100	IXYS	11,564	IXTY01N100-ND	฿137.36000	Similar
STD16NF06LT4	STMicroelectronics	11,925	497-4329-1-ND	฿57.94000	Similar
TSM900N06CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	4,792	TSM900N06CPROGCT-ND	฿33.53000	Similar