PJD1NA50_L2_00001 Panjit International Inc. | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

PJD1NA50_L2_00001
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	3757-PJD1NA50_L2_00001TR-ND - เทปและม้วน (TR) 3757-PJD1NA50_L2_00001CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 3757-PJD1NA50_L2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Panjit International Inc.
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	PJD1NA50_L2_00001
คำอธิบาย	500V N-CHANNEL MOSFET
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 500 V 1A (Ta) 25W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252AA

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Panjit International Inc.
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	500 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	1A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	9Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	4.2 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±30V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	95 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	25W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-252AA
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	PJD1NA50