Name: NE5550779A-T1A-A
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 2156-NE5550779A-T1A-A-ND
Price: 143.86851 THB
Availability: InStock

มอสเฟต rf 9 V 140 mA 900MHz 22dB 38.5dBm 79A

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NE5550779A-T1A-A
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	2156-NE5550779A-T1A-A-ND
ผู้ผลิต	Renesas Electronics Corporation
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NE5550779A-T1A-A
คำอธิบาย	N-CHANNEL POWER MOSFET
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	มอสเฟต rf 9 V 140 mA 900MHz 22dB 38.5dBm 79A
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET RF FETs, MOSFET	อัตรากระแสไฟฟ้า (Amps) 2.1A
ผู้ผลิต Renesas Electronics Corporation	กระแสไฟฟ้า - ทดสอบ 140 mA
บรรจุภัณฑ์ จำนวนมาก	พลังงาน - เอาต์พุต 38.5dBm
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	แรงดันไฟฟ้า - พิกัด 30 V
เทคโนโลยี LDMOS	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
ความถี่ 900MHz	บรรจุภัณฑ์ / เคส 4-SMD, ตัวนำแบน
อัตราการขยาย 22dB	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 79A
แรงดันไฟฟ้า - ทดสอบ 9 V

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ในสต็อก: 20,035

ไม่สามารถยกเลิก/ไม่สามารถคืนได้

ผลิตภัณฑ์ตลาดออนไลน์

จะทำการจัดส่งประมาณ 10 วัน จาก Rochester Electronics LLC

฿3,103.68 จะมีการคิดแยกค่าธรรมเนียมการจัดส่งแบบเหมาจ่ายต่างหาก

ข้อจำกัดการสั่งซื้อสูงสุด

เพื่อสนับสนุนความต้องการด้านการวิจัยและพัฒนาของลูกค้าทุกท่าน สินค้ารายการนี้จึงมีการกำหนดจำนวนการสั่งซื้อสูงสุด สามารถสั่งซื้อได้ตามจำนวนสูงสุดนี้ทุก ๆ 30 วัน และคำสั่งซื้อที่เกินจำนวนที่กำหนดอาจถูกยกเลิก

จำนวนมาก:

20035

จำนวน

ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB

จำนวนมาก