Name: NP33N06YDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: NP33N06YDG-E1-AYTR-ND
Price: 80.5 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 60 V 33A (Tc) 1W (Ta), 97W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-HSON

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NP33N06YDG-E1-AY
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	NP33N06YDG-E1-AYTR-ND - เทปและม้วน (TR) NP33N06YDG-E1-AYCT-ND - เทปตัดขาย (CT) NP33N06YDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Renesas Electronics Corporation
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NP33N06YDG-E1-AY
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	12 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 33A (Tc) 1W (Ta), 97W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-HSON
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NP33N06YDG-E1-AY รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Renesas Electronics Corporation
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	33A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	14mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	78 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	3900 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	1W (Ta), 97W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-HSON
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-SMD, ตัวนำแบน แผ่นสัมผัส
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	NP33N06