Name: NP50P04SDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP50P04SDG-E1-AYTR-ND
Price: 106.69 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 40 V 50A (Tc) 1.2W (Ta), 84W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252 (MP-3ZK)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NP50P04SDG-E1-AY
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	559-NP50P04SDG-E1-AYTR-ND - เทปและม้วน (TR) 559-NP50P04SDG-E1-AYCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 559-NP50P04SDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Renesas Electronics Corporation
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NP50P04SDG-E1-AY
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 40V 50A TO252
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	12 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 40 V 50A (Tc) 1.2W (Ta), 84W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252 (MP-3ZK)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NP50P04SDG-E1-AY รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Renesas Electronics Corporation
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	P-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	40 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	50A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	9.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	5000 pF @ 10 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	1.2W (Ta), 84W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-252 (MP-3ZK)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	NP50P04