NP80N06PLG-E1B-AY Renesas Electronics Corporation | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

NP80N06PLG-E1B-AY
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	NP80N06PLG-E1B-AYTR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Renesas Electronics Corporation
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NP80N06PLG-E1B-AY
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 80A TO263
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 115W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NP80N06PLG-E1B-AY รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Renesas Electronics Corporation
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	80A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	8.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	128 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	6900 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	1.8W (Ta), 115W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-263
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB