Name: RBA40N10EANS-5UA11#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBA40N10EANS-5UA11#HB0TR-ND
Price: 53.67 THB
Availability: OutOfStock

RBA40N10EANS-5UA11#HB0 หมดสต็อกและสามารถสั่งจองได้

ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

เทียบเท่าพาราเมตริก

RBE111N10R1SZN2#HB0

Renesas Electronics Corporation

มีอยู่ในสต็อค: 0

ราคาต่อหน่วย : ฿53.02000

เอกสารข้อมูล

ดูและเปรียบเทียบผลิตภัณฑ์ทดแทนทั้งหมด

ผลิตภัณฑ์ใหม่

รูปภาพสำหรับ RBA40N10EANS-5UA11#HB0 ไม่พร้อมใช้งาน

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

RBA40N10EANS-5UA11#HB0
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	559-RBA40N10EANS-5UA11#HB0TR-ND - เทปและม้วน (TR) 559-RBA40N10EANS-5UA11#HB0CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 559-RBA40N10EANS-5UA11#HB0DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Renesas Electronics Corporation
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	RBA40N10EANS-5UA11#HB0
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 40A SO8-FL
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	12 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 40A (Tc) 57W (Tc) ติดบนพื้นผิว, เปียกที่ขอบด้านข้างได้ μSO8-FL
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Mfr Renesas Electronics Corporation	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1700 pF @ 50 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 57W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	เกรด รถยนต์
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	คุณสมบัติ AEC-Q101
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 40A (Tc)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว, เปียกที่ขอบด้านข้างได้
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ μSO8-FL
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 11.1mOhm @ 20A, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerVDFN
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 28µA