Name: RJK0332DPB-01#J0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: RJK0332DPB-01#J0TR-ND
Price: 92.14 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 30 V 35A (Ta) 45W (Tc) ติดบนพื้นผิว LFPAK

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

RJK0332DPB-01#J0
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	RJK0332DPB-01#J0TR-ND - เทปและม้วน (TR) RJK0332DPB-01#J0CT-ND - เทปตัดขาย (CT)
ผู้ผลิต	Renesas Electronics Corporation
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	RJK0332DPB-01#J0
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 30 V 35A (Ta) 45W (Tc) ติดบนพื้นผิว LFPAK
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.5V @ 1mA
Mfr Renesas Electronics Corporation	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT)	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ การซื้อครั้งสุดท้าย	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 2180 pF @ 10 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 45W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 30 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 35A (Ta)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ LFPAK
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส SC-100, SOT-669
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 17.5A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน RJK0332

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (3)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
PSMN4R0-30YL,115	Nexperia USA Inc.	110	1727-4167-1-ND	฿10.92000	Similar
STL66N3LLH5	STMicroelectronics	2,940	497-12272-1-ND	฿17.62000	Similar
TPH7R204PL,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	16,835	TPH7R204PLLQCT-ND	฿10.50000	Similar