Name: RJK03M4DPA-00#J5A
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RJK03M4DPA-00#J5ATR-ND
Price: 82.44 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 30 V 35A (Ta) 30W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-WPAK

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

RJK03M4DPA-00#J5A
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	559-RJK03M4DPA-00#J5ATR-ND - เทปและม้วน (TR) 559-RJK03M4DPA-00#J5ACT-ND - เทปตัดขาย (CT) 559-RJK03M4DPA-00#J5ADKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Renesas Electronics Corporation
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	RJK03M4DPA-00#J5A
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 30 V 35A (Ta) 30W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-WPAK
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	RJK03M4DPA-00#J5A รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Renesas Electronics Corporation
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	การซื้อครั้งสุดท้าย
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	30 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	35A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	4.6mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	-
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	12 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	2170 pF @ 10 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	30W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-WPAK
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-WFDFN แผ่นสัมผัส
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	RJK03M4