RJK2511DPK-00#T0 Renesas Electronics Corporation | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

RJK2511DPK-00#T0
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	RJK2511DPK-00#T0-ND
ผู้ผลิต	Renesas Electronics Corporation
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	RJK2511DPK-00#T0
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 250V 65A TO3P
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 250 V 65A (Ta) 200W (Tc) ทรูโฮล TO-3P
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	RJK2511DPK-00#T0 รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Renesas Electronics Corporation
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	การซื้อครั้งสุดท้าย
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	250 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	65A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	34mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	-
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	120 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±30V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	4900 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	200W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-3P
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-3P-3, SC-65-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	RJK2511