Name: TP65H150G4LSG
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H150G4LSG-ND
Price: 163.59 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 650 V 13A (Tc) 52W (Tc) ติดบนพื้นผิว 3-PQFN (8x8)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

TP65H150G4LSG
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	1707-TP65H150G4LSG-ND - เทปและม้วน (TR) 1707-TP65H150G4LSGCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 1707-TP65H150G4LSGDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Renesas Electronics Corporation
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TP65H150G4LSG
คำอธิบาย	GAN FET N-CH 650V PQFN
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 650 V 13A (Tc) 52W (Tc) ติดบนพื้นผิว 3-PQFN (8x8)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	TP65H150G4LSG รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4.8V @ 500µA
Mfr Renesas Electronics Corporation	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 8 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 598 pF @ 400 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 52W (Tc)
เทคโนโลยี GaNFET (แกลเลียมไนไตรด์)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 650 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 13A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 3-PQFN (8x8)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 3-PowerTDFN
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 180mOhm @ 8.5A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน TP65H150