TP90H050WS Renesas Electronics Corporation | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

TP90H050WS
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	1707-TP90H050WS-ND
ผู้ผลิต	Renesas Electronics Corporation
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TP90H050WS
คำอธิบาย	GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 900 V 34A (Tc) 119W (Tc) ทรูโฮล TO-247-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Renesas Electronics Corporation
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	GaNFET (คาสโคดแกลเลียมไนไตรด์ FET)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	900 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	34A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	63mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4.4V @ 700µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	17.5 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	980 pF @ 600 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	119W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-247-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-247-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	TP90H050