TPH3202LD
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	TPH3202LD-ND
ผู้ผลิต	Renesas Electronics Corporation
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TPH3202LD
คำอธิบาย	GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 600 V 9A (Tc) 65W (Tc) ติดบนพื้นผิว 4-PQFN (8x8)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.5V @ 250µA
Mfr Renesas Electronics Corporation	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 9.3 nC @ 4.5 V
บรรจุภัณฑ์ ท่อ	Vgs (สูงสุด) ±18V
สถานะผลิตภัณฑ์ เลิกผลิต	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 760 pF @ 480 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 65W (Tc)
เทคโนโลยี GaNFET (แกลเลียมไนไตรด์)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 600 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 9A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 4-PQFN (8x8)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 4-PowerDFN
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 350mOhm @ 5.5A, 8V

TPH3202LD