TPH3208LDG Renesas Electronics Corporation | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

TPH3208LDG
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	TPH3208LDG-ND
ผู้ผลิต	Renesas Electronics Corporation
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TPH3208LDG
คำอธิบาย	GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) ติดบนพื้นผิว 3-PQFN (8x8)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Renesas Electronics Corporation
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	GaNFET (แกลเลียมไนไตรด์)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	650 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	20A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	130mOhm @ 13A, 8V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.6V @ 300µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	14 nC @ 8 V
Vgs (สูงสุด)	±18V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	760 pF @ 400 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	96W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	3-PQFN (8x8)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	3-PowerDFN