FCP650N80Z onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

FCP650N80Z
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	FCP650N80Z-ND
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	FCP650N80Z
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 800V 10A TO220
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 800 V 10A (Tc) 162W (Tc) ทรูโฮล TO-220
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	FCP650N80Z รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	SuperFET® II
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	800 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	10A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	650mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4.5V @ 800µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1565 pF @ 100 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	162W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-220
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-220-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	FCP650