Name: PBSS4260QAZ
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 2156-PBSS4260QAZ-ND
Price: 7.7592 THB
Availability: InStock

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ (bjt) NPN 60 V 2 A 180MHz 325 mW ติดบนพื้นผิว DFN1010D-3

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

PBSS4260QAZ
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	2156-PBSS4260QAZ-ND
ผู้ผลิต	NXP Semiconductors
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	PBSS4260QAZ
คำอธิบาย	TRANS NPN 60V 2A DFN1010D-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ (bjt) NPN 60 V 2 A 180MHz 325 mW ติดบนพื้นผิว DFN1010D-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) ทรานซิสเตอร์สองขั้วเดี่ยว
Mfr	NXP Semiconductors
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	จำนวนมาก
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภททรานซิสเตอร์	NPN
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	2 A
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	60 V
Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic	190mV @ 50mA, 1A
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด)	100nA (ICBO)
เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	40 @ 2A, 2V
พลังงาน - สูงสุด	325 mW
ความถี่ - การเปลี่ยน	180MHz
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q100
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	3-XDFN แผ่นสัมผัส
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	DFN1010D-3