การตั้งค่า
จัดส่งที่รวดเร็ว
จัดส่งฟรี
Incoterms
ประเภทการชำระเงิน
ผลิตภัณฑ์ตลาดออนไลน์
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
PMV65XPEA215 | |
|---|---|
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | 2156-PMV65XPEA215-ND |
ผู้ผลิต | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต | PMV65XPEA215 |
คำอธิบาย | P-CHANNEL MOSFET |
การอ้างอิงของลูกค้า | |
คำอธิบายโดยละเอียด | P-ช่องสัญญาณ 20 V 2.8A (Ta) 480mW (Ta), 6.25W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-236AB |
เอกสารข้อมูล | เอกสารข้อมูล |
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน
แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า
หมวดหมู่ | เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V |
Mfr | Vgs (สูงสุด) ±12V |
บรรจุภัณฑ์ จำนวนมาก | ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 618 pF @ 10 V |
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน | กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 480mW (Ta), 6.25W (Tc) |
ประเภท FET | อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ) |
เทคโนโลยี | เกรด รถยนต์ |
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 20 V | คุณสมบัติ AEC-Q101 |
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C | ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว |
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 2.5V, 4.5V | บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-236AB |
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 78mOhm @ 2.8A, 4.5V | บรรจุภัณฑ์ / เคส |
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 1.25V @ 250µA |
รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด
เอกสารและสื่อ
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
คำถามและคำตอบเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์
แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม
ในสต็อก: 0
ไม่สามารถยกเลิก/ไม่สามารถคืนได้
ผลิตภัณฑ์ตลาดออนไลน์
จัดส่งจาก Rochester Electronics, LLC
ยังไม่สามารถแจ้งข้อมูลของระยะเวลาจัดส่งได้ / ไม่อนุญาตให้สั่งสินค้าแบบรอส่ง
อาจมีการเรียกเก็บค่าธรรมเนียมการจัดส่งอาจแยก
